[发明专利]一种磁性随机存储器及其制备方法和控制方法有效
| 申请号： | 202110838197.6 | 申请日： | 2021-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN113555498B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 卢世阳;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 | 申请（专利权）人： | 致真存储（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H10N50/01;H10N50/10;H10N50/80;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京墨丘知识产权代理事务所(普通合伙) 11878 | 代理人： | 代峰;谷轶楠 |
| 地址： | 100191 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁性随机存储器及其制备方法和控制方法，涉及隧穿磁电阻领域，步骤包括：构建所述磁性随机存储器的底部层级结构；构建混合式重金属层；构建剩余隧穿磁隧道结膜层结构；构建加工隧穿磁隧道结。所述方法通过在底层衬底结构上表面构建混合式重金属层，在不同材质金属层上表面溅射生成完整磁隧道结，针对重金属层通入电流，利用不同材质的自旋霍尔角角度和大小不同的性质，使所述重金属层在通入电流时实现多模态翻转动作。结合其磁性随机存储器本身良好的存储性能，可实现计算机的“逻辑存储一体化”，从而实现对计算机运算速度的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 随机 存储器 及其 制备 方法 控制 | ||
【主权项】：
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