[发明专利]一种磁阻运动调制的低频MEMS磁阻传感器有效
| 申请号： | 202110839148.4 | 申请日： | 2021-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN113567898B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 邹旭东;刘振溪;陈嘉民;李志天;杨伍昊;熊兴崟;汪政 | 申请（专利权）人： | 中国科学院空天信息创新研究院 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所有限公司 11386 | 代理人： | 刘镜 |
| 地址： | 100089 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 发明涉及一种磁阻运动调制的低频MEMS磁阻传感器，属于磁场检测领域，解决了现有MEMS磁阻传感器两侧磁通汇聚器运动不同步导致的噪声增加而使得检测精度降低的技术问题。本申请传感器包括：磁阻传感器MTJ、磁通汇聚器、压电悬臂梁，第一衬底；第一衬底上设置有与压电悬臂梁尺寸相适应的通孔，压电悬臂梁设置于通孔中，压电悬臂梁一端悬空，另一端与第一衬底固定连接；磁阻传感器MTJ放置在压电悬臂梁悬空端之上，通过悬臂梁带动磁阻传感器MTJ沿着通孔的轴向作简谐振动；磁通汇聚器设置在第一衬底上，且对称放置在磁阻传感器MTJ两侧。通过悬臂梁振动避免了磁通汇聚器运动不同步的问题，提高了磁场检测分辨率，能够广泛应用于低频弱磁场的检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁阻 运动 调制 低频 mems 传感器 | ||
【主权项】：
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