[发明专利]一种基于自旋轨道矩的神经元器件在审
| 申请号： | 202110840235.1 | 申请日： | 2021-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN113657586A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 邢国忠;王迪;林淮;刘龙;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06N3/063 | 分类号： | G06N3/063;G06N3/04;G06N3/08;H01L43/06;H01L43/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种基于自旋轨道矩的神经元器件，包括：依次形成在基底上的反铁磁钉扎层、第一铁磁层及自旋轨道耦合层；形成在自旋轨道耦合层上并根据自旋轨道矩使磁畴壁移动的自由层；形成在自由层上的隧穿层；形成在自由层两侧并具有相反磁化方向的左钉扎层与右钉扎层；形成在隧穿层上的参考层；其中，自由层、隧穿层及参考层构成磁性隧道结，该磁性隧道结用于读取神经元信号。本公开还提供了一种基于自旋轨道矩的神经元器件的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 自旋 轨道 神经 元器件 | ||
【主权项】：
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