[发明专利]一种基于虚拟现实的半导体离子注入技术教育培训和考核方法在审

专利信息
申请号: 202110840704.X 申请日: 2021-07-25
公开(公告)号: CN113487924A 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: 吴方岩 申请(专利权)人: 苏州芯才科技有限公司
主分类号: G09B5/14 分类号: G09B5/14;G09B7/04;G06Q50/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215123 江苏省苏州市工*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种基于虚拟现实的半导体离子注入技术教育培训和考核方法,集教育与考核于一体,不仅将离子注入工艺完整的展现给学员,更通过沉浸式体验的方式,在短时间内掌握半导体离子注入加工工艺,节约了成本,避免了不必要的麻烦与危险,弥补实践教学条件的不足,通过设备工艺模块了解基本的离子注入设备及工艺流程,通过操作技能培训模块,掌握基本的离子注入操作技能,最终通过考核模块给出系统评分、存档及相关操作失误点。本发明所述的基于虚拟现实的半导体离子注入技术教育培训和考核方法,通过VR技术构建半导体离子注入加工过程的虚拟场景,克服空间、设备、环境以及原材料供应等各个方面的制约,扩大半导体工艺人员的培训规模和效。
搜索关键词: 一种 基于 虚拟现实 半导体 离子 注入 技术教育 培训 考核 方法
【主权项】:
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