[发明专利]一种沟槽式分离栅IGBT结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110841210.3 | 申请日： | 2021-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN113555425A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 王丕龙;王新强;张永利;杨玉珍 | 申请（专利权）人： | 青岛佳恩半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人： | 郑艳春 |
| 地址： | 266100 山东省青岛市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及IGBT技术领域，且公开了一种沟槽式分离栅IGBT结构及其制造方法，包括集电极金属和p+集电极：集电极金属的上方设有n型衬底，n型衬底的内部设有有规律排布的沟槽体，沟槽体的底部设有下沟槽发射极栅氧化层与下沟槽发射极多晶层，下沟槽发射极多晶层的顶部设有隔离氧化层，隔离氧化层的上方设有上沟槽栅极栅氧化层。该沟槽式分离栅IGBT结构及其制造方法，通过进行独特的两次刻蚀沟槽工艺，能够形成上下结构分离栅，从而降低IGBT器件米勒电容的同时，起到有效地降低开关损耗效果，使得对现有沟槽时分离栅IGBT结构有效改进的作用下，起到克服现有中随着应用功率不断增加，从而导致IGBT关断损耗也随之上升的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 分离 igbt 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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