[发明专利]一种带载流子存储层的沟槽式分离栅IGBT结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110841226.4 | 申请日： | 2021-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN113540227A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 王丕龙;张永利;王新强;杨玉珍 | 申请（专利权）人： | 青岛佳恩半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人： | 郑艳春 |
| 地址： | 266100 山东省青岛市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及IGBT技术领域，且公开了一种带载流子存储层的沟槽式分离栅IGBT结构及其制造方法，包括集电极金属，所述集电极金属的内部设有P+集电极，所述P+集电极的上方设置有n型衬底，所述n型衬底的内部设置有规律排布的下沟槽和上沟槽，所述下沟槽的顶部两侧设置有n型存储(CS)层，所述下沟槽的内部有发射极栅氧化层和下沟槽发射极多晶层，所述下沟槽的顶部设置有隔离氧化层，所述隔离氧化层上方设置有n型外延层，所述n型外延层的内部设置上沟槽。该发明，通过此沟槽式带CS层分离栅IGBT结构中，下沟槽内部多晶层与发射极短接，可有效降低沟槽IGBT米勒电容，同时增加n型存储(CS)层，降低IGBT开关、导通损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 载流子 存储 沟槽 分离 igbt 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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