[发明专利]钕铁硼磁体的制备方法及提高晶界扩散效果的方法有效
| 申请号： | 202110843585.3 | 申请日： | 2021-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN113571281B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 赵文强;雷忠;高斌;尹祖平;周昱峰;童伟;杨志杰;候佩君;范玉虎 | 申请（专利权）人： | 包头天石稀土新材料有限责任公司 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京悦成知识产权代理事务所(普通合伙) 11527 | 代理人： | 樊耀峰;安平 |
| 地址： | 014030 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钕铁硼磁体的制备方法及提高晶界扩散效果的方法。以主相合金粗粉和高稀土主相合金粗粉为原料，制备片状磁体。通过晶界扩散将重稀土元素从片状磁体的表面渗透至片状磁体的内部，得到钕铁硼磁体。本发明的方法可以改善重稀土元素的晶界扩散效果，提高磁体的磁性能。 | ||
| 搜索关键词： | 钕铁硼 磁体 制备 方法 提高 扩散 效果 | ||
【主权项】：
暂无信息
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