[发明专利]三维存储器及其制备方法

摘要

本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。制备三维存储器的方法包括：在衬底的第一表面限定预设区域，并在第一表面的、除预设区域之外的部分形成支撑层；在支撑层的外表面以及预设区域共形覆盖叠层结构，叠层结构包括交替叠置的牺牲层和绝缘层；去除部分叠层结构，以保留叠层结构的、与支撑层的侧表面以及预设区域对应的部分；去除牺牲层以形成牺牲间隙；在牺牲间隙内填充导电材料以形成三维存储器的栅极层和与栅极层连通的字线接触。根据该制备方法，可简化三维存储器的制备工艺，实现栅极层与字线接触的有效连通，并缩小栅极层的、与字线接触接触部分的面积，提高三维存储器的集成度及性能。