[发明专利]一种具有阵列式微纳透镜结构的石墨烯/砷化镓太阳电池及其制备方法在审
申请号: | 202110844851.4 | 申请日: | 2021-07-26 |
公开(公告)号: | CN113690341A | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 李国强;邓曦;刘兴江;王文樑 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/054;H01L31/048;H01L31/074;B82Y40/00;G03F7/00 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 殷妹 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有阵列式微纳透镜结构的石墨烯/砷化镓太阳电池及其制备方法。本发明的石墨烯/砷化镓太阳电池自下而上依次包括背面电极、砷化镓层、石墨烯层、栅电极和具有表面阵列式微纳透镜结构的薄膜。本发明制备的石墨烯/砷化镓太阳电池具有更高光利用效率,增强电池表面光吸收,提高光电转化效率等优点,制备的具有微透镜结构的薄膜能够更好的将电池表面入射光收集起来,便于太阳电池进行光伏效应,有利于制备高转化效率的石墨烯/砷化镓太阳电池。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 阵列 式微 透镜 结构 石墨 砷化镓 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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