[发明专利]一种半导体激光器芯片腔面的镀膜方法有效
| 申请号： | 202110845340.4 | 申请日： | 2021-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN113699488B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 赵军;游顺青;陈锋 | 申请（专利权）人： | 湖北光安伦芯片有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/18;C23C14/08;C23C14/02;C23C8/12;C23C14/58;H01S5/028 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 吴静 |
| 地址： | 436000 湖北省鄂州市葛店*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明属于半导体激光器端面镀膜技术领域，具体涉及一种半导体激光器芯片腔面的镀膜方法，包括如下步骤：1）对待镀膜的芯片进行Bar条解理，夹条，并快速放进蒸发镀膜设备内，抽真空；2）对芯片的出光腔面进行离子源预清洗处理；3）在芯片的出光腔面上镀高增透膜系，高增透膜系至少包括第一Al层和第一AlO |
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| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 芯片 镀膜 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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