[发明专利]具有异质结终端的氮化镓肖特基势垒二极管及制备方法在审
| 申请号： | 202110845428.6 | 申请日： | 2021-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN113594228A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 周弘;杨蓉;张进成;刘志宏;许晟瑞;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/45;H01L29/47;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有异质结终端的氮化镓肖特基势垒二极管及制备方法，主要解决现有技术击穿电压低、可靠性差的问题。其自下而上包括衬底层(1)、氮化镓沟道层(2)、铝镓氮势垒层(3)，铝镓氮势垒层上的两端分别为欧姆阴极金属层(4)及肖特基阳极金属层(5)；肖特基阳极金属层的左侧设有P型氧化镍层(6)，以使器件在反向工作时形成更宽的耗尽区；欧姆阴极金属层与P型氧化镍层之间设有钝化介质层(7)，以填补铝镓氮势垒层中的N空位；该肖特基阳极金属层采用嵌入式凹槽结构，其一侧与P型氧化镍层紧贴，下部嵌入到氮化镓沟道层中。本发明提高了氮化镓肖特基势垒二极管的反向击穿电压，降低了反向漏电，可用于高频高功率电子设备。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 异质结 终端 氮化 肖特基势垒二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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