[发明专利]沟道孔的制作方法、存储器、其制作方法及存储系统有效
| 申请号： | 202110845874.7 | 申请日： | 2021-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN113571527B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 杨超;陆聪;吴振国 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/27;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王晓玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了沟道孔的制作方法、存储器、其制作方法及存储系统。该方法在各第一沟道孔中形成填充柱，填充柱具有远离衬底的第一端部，然后在第一堆叠结构上形成图形化掩膜层，以图形化掩膜层为掩膜刻蚀第一堆叠结构，以使第一端部裸露，并在图形化掩膜层上形成中间绝缘层，第一端部位于中间绝缘层中，中间绝缘层对应于第一端部的位置形成有第一凸起标记，从而在形成第二堆叠结构后，使第二堆叠结构表面对应形成第二凸起标记，由于该第二凸起标记对应预形成的第二沟道通孔的位置，从而通过利用第二凸起标记进行套刻对准，降低了第二沟道通孔形成位置的偏差，进而提高了第二沟道通孔与第一沟道孔之间的对准精度，保证了器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 制作方法 存储器 存储系统 | ||
【主权项】：
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