[发明专利]一种半导体器件的保护方法及装置在审
| 申请号： | 202110846930.9 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113299540A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 杨崇秋;吉成东;周林 | 申请（专利权）人： | 江苏茂硕新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B24B37/04;B24B37/08 |
| 代理公司： | 江苏长德知识产权代理有限公司 32478 | 代理人： | 詹朝 |
| 地址： | 221300 江苏省徐州市邳*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体加工技术领域，公开了一种半导体器件的保护方法及装置，对衬底进行研磨，利用研磨的方法在衬底的靠近边缘的部分加工出圆环形的保护区，在保护区中心形成生长区，保护区的高度低于生长区的高度，然后在衬底的保护区和生长区上均通过成膜法形成保护层；之后对衬底进行研磨，去除生长区表面的保护层，仅在保护区的表面保留保护层；然后抛光、清洗、烘干，获得能够避免半导体层裂纹缺陷的衬底；本发明在衬底外周加工出环形的保护层，限制半导体层向衬底的周边生长，能够避免裂纹缺陷的产生，与此同时，保护层的表面低于用于生长半导体层的生长区的表面，其在MOCVD外延生长时对于半导体层的生长影响较小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 保护 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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