[发明专利]变掺杂JBS结构的半导体器件在审
| 申请号： | 202110848081.0 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113594265A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 王中旭 | 申请（专利权）人： | 陕西君普新航科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安志帆知识产权代理事务所(普通合伙) 61258 | 代理人： | 侯峰;韩素兰 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市西咸*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种变掺杂JBS结构的半导体器件，该半导体器件包括阴极、衬底、外延层、P区和阳极，所述阴极、衬底、外延层、阳极从下到上依次设置，在所述外延层上沿横向设置若干个P区；每个所述P区包括采用不同掺杂浓度的P |
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| 搜索关键词： | 掺杂 jbs 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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