[发明专利]一种通过优化多晶硅刻蚀改善高K介质栅被腐蚀的方法在审
| 申请号： | 202110848252.X | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113643969A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 庄望超 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过优化多晶硅刻蚀改善高K介质栅被腐蚀的方法，提供基底上的栅极结构；栅极结构包括高K介质层及位于其上的栅极叠层；栅极结构两侧的基底上设有栅氧层；栅氧化层两侧端部紧贴栅极结构的高K介质层；形成覆盖栅极结构及其两侧的栅氧层的阻挡层；去除栅极结构两侧的栅氧层，将高K介质层的两侧端部暴露；形成覆盖栅极结构的侧墙层；侧墙层由栅极结构延伸至其两侧基底的上；刻蚀去除栅极结构顶部及两侧基底上的侧墙层，剩余的侧墙层在栅极结构的侧壁形成侧墙，高K介质层的两侧端部被侧墙覆盖。本发明在形成栅极侧墙时，将高K介质层的两端用侧墙保护，使得在去除栅极结构两侧的栅氧层时，避免发生高K介质栅腐蚀消失现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 优化 多晶 刻蚀 改善 介质 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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