[发明专利]一种Ga掺杂的水溶性InP量子点的制备方法在审

专利信息
申请号: 202110848617.9 申请日: 2021-07-27
公开(公告)号: CN113512416A 公开(公告)日: 2021-10-19
发明(设计)人: 李福山;陈祥;胡海龙;赵等临;杨开宇;郭太良 申请(专利权)人: 福州大学;闽都创新实验室
主分类号: C09K11/02 分类号: C09K11/02;C09K11/70;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 刘佳;蔡学俊
地址: 350108 福建省福州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种Ga掺杂的水溶性InP量子点的制备方法,其是在以卤化锌为催化剂的条件下,将铟源与磷源经反应制成磷化铟核,然后掺入镓源以钝化磷化铟核内的缺陷,再在其表面包覆一层ZnS外壳,以提高量子点的稳定性以及发光效率,最后通过巯基类有机酸与量子点间强的结合力使其相互结合,进而制备出Ga掺杂的水溶性InP量子点。本发明制备的量子点不含Cd与Pb等重金属,对环境十分友好,并能溶于水,扩大了量子点的应用场景。
搜索关键词: 一种 ga 掺杂 水溶性 inp 量子 制备 方法
【主权项】:
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