[发明专利]一种CMOS全集成电磁检测的射频前端传感器在审
| 申请号： | 202110849117.7 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113567761A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 于松立;易凯 | 申请（专利权）人： | 成都通量科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R29/08 | 分类号： | G01R29/08;G01R33/02 |
| 代理公司： | 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 | 代理人： | 李林合 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS全集成电磁检测的射频前端传感器，包括霍尔传感器、旋转电流电路、仪表运算放大器、低通滤波器和时钟处理电路，其中，所述旋转电流电路用于消除所述霍尔传感器的电磁感应失调；所述仪表运算放大器用于提高电路的带负载能力；所述低通滤波器用于实现电路的RC低通滤波；所述时钟处理电路用于输出高电平不重叠的波形的时钟，防止旋转电流电路中开关的同时导通产生的影响。本发明采用CMOS工艺，实现了电磁传感的全集成，能够在未影响射频性能的前提下，将传感器插入通道间，不增加芯片面积，节省了成本，实现了对射频前端电路之间电磁强度的检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 集成 电磁 检测 射频 前端 传感器 | ||
【主权项】：
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