[发明专利]复合衬底的制备方法及复合衬底在审
| 申请号： | 202110850047.7 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113643977A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 张波;沈振华;徐琳 | 申请（专利权）人： | 苏州纳维科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/10;H01L29/778 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种复合衬底的制备方法及复合衬底，复合衬底的制备方法包括：提供一衬底，所述衬底采用氮化镓单晶材料；在所述衬底的背面和侧面形成保护层，用于抑制衬底的侧面和背面在外延生长过程中发生分解，导致杂质进入外延区。本复合衬底包括：衬底，所述衬底采用氮化镓单晶材料；保护层，所述保护层覆盖所述衬底的背面和侧面，用于抑制衬底的侧面和背面在外延生长过程中发生分解，导致杂质进入外延区。本发明通过在氮化镓单晶衬底的背面和侧面形成保护层，抑制氮化镓单晶衬底背面和侧面的分解、降低界面掺杂，提高了复合衬底的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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