[发明专利]一种限域介电击穿固态纳米孔器件的制备方法及其产品和应用有效
| 申请号： | 202110850805.5 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113548641B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 王德强;刘业香;何石轩;谢婉谊;方绍熙;周大明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B1/00;G01N27/26 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400714 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种限域介电击穿固态纳米孔器件的制备方法及其产品和应用，属于纳米孔器件制备技术领域。本发明公开了一种限域介电击穿固态纳米孔器件的制备方法，该方法是基于聚焦离子束双面刻蚀沟道减薄薄膜的方法和限域介电击穿固态纳米孔器件制造方法，可以有效的限制电介质击穿法制备纳米孔的位置和数量；同时相比普通薄膜打薄技术对材料的损伤较小以及较高的材料稳定性，可以用于研究各种体材料形成的极薄的纳米孔传感性能；另外也可以了解不同化合物材料叠加在一起制备的超薄稳定纳米孔的传感性能，具有很大的应用发展潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 限域介电 击穿 固态 纳米 器件 制备 方法 及其 产品 应用 | ||
【主权项】：
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