[发明专利]碳化硅晶种及其制造方法、碳化硅晶体的制造方法在审
| 申请号： | 202110850953.7 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113981537A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 林钦山 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 贺财俊;刘芳 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅晶种及其制造方法、及碳化硅晶体的制造方法。碳化硅晶种具有硅面、以及相对硅面的碳面，其中硅面的基面位错密度BPD1与所述碳面的基面错位密度BPD2之间的差异比D满足下述式(1)：D＝(BPD1‑BPD2)/BPD1≤25％(1)。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 及其 制造 方法 晶体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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