[发明专利]一种提高氮化铝晶片紫外透过率的方法有效
| 申请号： | 202110850988.0 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113668061B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 吴亮;李哲;王琦琨;雷丹;黄嘉丽;张刚;赵寅廷 | 申请（专利权）人： | 奥趋光电技术（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 杭州宇信联合知识产权代理有限公司 33401 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 311100 浙江省杭州市余杭区余*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提高氮化铝晶片紫外透过率的方法，包括如下步骤：在待处理氮化铝晶片的上下表面覆盖至少一层保护材料，形成夹层组合结构；将所述夹层组合结构装配至容器中，并将所述容器置于高温炉中；将所述高温炉抽真空，升温后充入保护气体，达到预设保温温度和低压环境后保温预设时间；降温至室温，从高温炉中取出容器，去除所述夹层组合结构中的保护材料并取出氮化铝晶片。本发明的方法，采用高温低压热处理的方式提升AlN晶片的紫外光透过率，改善了非故意掺杂引起的晶片颜色及光学性能的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 氮化 晶片 紫外 透过 方法 | ||
【主权项】：
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