[发明专利]LED芯片外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202110851289.8 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113594315B | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 赖玉财;李森林;毕京锋 | 申请（专利权）人： | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 刘畅 |
| 地址： | 361012 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LED芯片外延结构及其制备方法，其中，所述LED芯片外延结构从下至上依次包括：形成于衬底上的晶格缓冲层、底部缓冲层以及外延层，所述晶格缓冲层包括至少两层Al组分含量不同的结构层，且所述晶格缓冲层的晶格常数介于所述衬底与底部缓冲层之间。本发明通过在衬底和底部缓冲层之间形成晶格缓冲层，利用晶格缓冲层不仅可以解决衬底与外延结构之间存在的热失配和晶格失配问题，还能阻挡衬底中的杂质进入外延结构中，以获得高质量的外延结构。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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