[发明专利]相变薄膜、相变存储器及相变存储器的操作方法在审
| 申请号： | 202110851385.2 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113594361A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 彭文林;刘峻;杨海波;刘广宇;付志成 | 申请（专利权）人： | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种相变薄膜、相变存储器和相变存储器的操作方法，所述相变薄膜包括依次层叠的第一金属阻挡层、相变材料层和第二金属阻挡层，其中，在所述第一金属阻挡层和所述相变材料层之间设置有金属铋层，和/或，在所述第二金属阻挡层和所述相变材料层之间设置有金属铋层，由此，能够利用低表面自由能的金属铋层作为相变材料层的表面活性剂，在施加相应的脉冲后，使得金属铋层中的铋原子沿着相变材料层中的晶体晶界进行扩散，以细化相变材料层中的晶粒，提高相变材料层的相变速度，并减少相变材料层相变时体积的变化，提高器件的耐久性。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 薄膜 存储器 操作方法 | ||
【主权项】：
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