[发明专利]一种基于等离激元效应的异质结光电突触器件有效
| 申请号： | 202110852268.8 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113451423B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 李梓维;黄明;潘安练 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 长沙市和协专利代理事务所(普通合伙) 43115 | 代理人： | 熊晓妹 |
| 地址： | 410082 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于等离激元效应的低维半导体光电突触器件的制备方法，从上到下包括上电极对、金属纳米颗粒层、低维半导体层、氧化物层、基底层和底电极，其中金属纳米颗粒层和低维半导体层为异质结层。通过本发明的金属纳米颗粒/低维半导体异质结制备方法制得的异质结应用于光电突触器件，相比现有同质结等制得的光电突触器件，光吸收效率高、光电转化效率高、光敏突触电流信号强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 离激元 效应 异质结 光电 突触 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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