[发明专利]一种场效应晶体管器件的栅极结构制作方法及场效应晶体管器件在审
| 申请号： | 202110852603.4 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113594030A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 万彩萍;许恒宇;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种场效应晶体管器件的栅极结构制作方法及场效应晶体管器件，涉及半导体器件技术领域。栅极结构制作方法包括：提供一碳化硅外延片；对所述碳化硅外延片进行高温栅氧处理，以使所述碳化硅外延片表面形成二氧化硅栅氧化层；在所述二氧化硅栅氧化层上形成栅极图形，得到包含所述栅极图形的第一栅极结构；对所述第一栅极结构按光刻图形进行刻蚀处理，进行二次氧化处理，修复形成第一栅极结构过程中对栅氧化层所造成的刻蚀损伤，最终得到第二栅极结构，避免由于在第一栅极形成过程中发生过度刻蚀而导致的栅氧化层损伤，这类损伤容易引起栅氧化层附近发生击穿导致的器件失效，提升了碳化硅场效应晶体管器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 器件 栅极 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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