[发明专利]功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及其制造方法在审
| 申请号： | 202110852948.X | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN113594251A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 约根德拉·亚达夫;陈吉智;柳瑞兴;姚智文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种功率MOSFET器件及其制造方法。该功率MOSFET器件包括：衬底；场板，位于衬底上方；栅电极，具有第一部分和第二部分，其中，栅电极的第一部分位于场板上方；第一介电层，位于栅电极的第一部分与场板之间；第二介电层，位于场板和衬底之间，其中，第二介电层由同种材料形成；第一间隔件，横向围绕第一介电层；第二间隔件，位于衬底上，与第二介电层的侧壁和第一间隔件的侧壁接触且与场板分隔，并且第二间隔件的部分与位于衬底的功率MOSFET器件的漏极区重叠；以及硅化物，形成在栅电极的顶面上且完全覆盖栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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