[发明专利]一种基于复合激光源的激光退火设备及退火方法在审
| 申请号： | 202110854365.0 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113594029A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 吴洋;唐霞辉;彭浩;李玉洁;秦应雄;姚相杰;方星;陈曦 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学;深圳华中科技大学研究院 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/67;B23K26/06;B23K26/70 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 王颖翀 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于复合激光源的激光退火设备及退火方法，该退火设备包括载物台、复合激光源和移动部件，载物台用于承载待退火结构；复合激光源包括第一激光源和第二激光源；第一激光源的功率大于第二激光源的功率；第一激光和第二激光分别入射至待退火结构表面的不同区域；移动部件，用于使载物台和复合激光源相对运动，以使待退火结构同一退火区域先经第二激光预热后再经第一激光退火。在本发明中，复合激光源能同时发射不同功率的第一激光和第二激光，通过移动部件可以使待退火结构与复合激光源相对运动，第二激光用于预热，第一激光用于退火，当前区域的退火和下一区域的预热同时进行，可大大节省整体退火时间，提高退火效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 复合 激光 退火 设备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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