[发明专利]一种实现高功率近衍射极限半导体激光的方法及系统有效
| 申请号： | 202110854841.9 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113823996B | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 傅芸;郭林辉;谭昊;张兰平;高松信;蒋全伟;唐淳 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/50;H01S5/00 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 吴彦峰 |
| 地址： | 621000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种实现高功率近衍射极限半导体激光的方法及系统，所述方法包括以下步骤：S1，构建M个LD共孔径相干合成模块，每个LD共孔径相干合成模块输出窄线宽高光束质量低相位噪声的LD激光，其中，M≥2且M为正整数；S2，将步骤S1中得到的M路窄线宽高光束质量低相位噪声的LD激光进行共孔径光谱合成，得到单路高光束质量输出的LD激光。本发明解决了现有技术存在的在近衍射极限下输出的功率难以大幅提高等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 功率 衍射 极限 半导体 激光 方法 系统 | ||
【主权项】：
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