[发明专利]一种铝基碳化硅表面低反射率膜层及其制备方法在审
| 申请号： | 202110862948.8 | 申请日： | 2021-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN113621964A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 刘治国;张华云;张翔;刘群;李大洋 | 申请（专利权）人： | 中国空空导弹研究院 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00;C23C18/18;C23C18/36;C23C18/48;C23F1/20;C25D3/40;C25D5/48 |
| 代理公司： | 中国航空专利中心 11008 | 代理人： | 杜永保 |
| 地址： | 471009 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 一种涉及铝基碳化硅材料表面改性的技术领域的铝基碳化硅表面低反射率膜层及其制备方法，铝基碳化硅表面低反射率膜层包含清洁面，清洁面外依次设有浸锌层、化学镀镍层、铜层和氧化膜层，铜层厚度为4～6μm，氧化膜层厚度小于等于2μm，380nm～10μm波长范围内的光在此膜层上的镜面反射率不高于2％，对结构件的精度影响不超过5μm，其制备方法是先对铝基碳化硅材料进行除油，酸洗，浸锌，化学镀镍等工序将材料表面进行改性，再经过电镀铜和化学氧化方法，最终得到反射率不高于2％的低反射率膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 表面 反射率 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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