[发明专利]硒化钨基范德华异质结的红外光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了硒化钨基范德华异质结的红外光电探测器及其制备方法，包括Si衬底、SiO2衬底、二维WSe2/TMDCs异质结器件、两个Au电极和导线，SiO2衬底设置于Si衬底的顶端，二维WSe2/TMDCs异质结器件设置于SiO2衬底的顶端，两个Au电极分别设置于二维WSe2/TMDCs异质结器件，两个导线分别于两个Au电极相连接，二维WSe2/TMDCs异质结器件为U型结构，导线为导电材料，导线用于传输Au电极的电信号。本发明利用二维WSe2/TMDCs异质结器件的设置，通过多组数据的测量，得到二维WSe2/TMDCs异质结器件，使得二维WSe2/TMDCs异质结器件可在近红外波段实现光电响应，同时该器件成本低、体积小且功耗低。