[发明专利]基于线性缓变掺杂漂移层的GaN肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110863565.2 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN113675260A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 段小玲;李若晗;张进成;边照科;张涛;刘志宏;张苇杭;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安睿通知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 61218 | 代理人： | 包春菊 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件领域，公开了一种基于线性缓变掺杂漂移层的GaN肖特基二极管及其制备方法，该二极管包括：从下至上依次层叠设置的阴极、GaN衬底、GaN缓冲层、GaN漂移层和阳极；其中，所述GaN漂移层为线性缓变掺杂GaN漂移层。通过引入线性缓变掺杂漂移层结构使得肖特基接触区域附近净载流子浓度减少，有效抑制阳极金属与GaN接触面处的峰值电场，提高器件的击穿电压。在适合的漂移层厚度下，与传统的垂直结构肖特基二极管相比，本发明提出的二极管在保证较大正向输出特性的同时，具有较高的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 线性 掺杂 漂移 gan 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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