[发明专利]一种抑制SRH非辐射复合的Micro LED器件及制备方法在审
| 申请号： | 202110863744.6 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN113594329A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 张紫辉;张沐垚;李青;张勇辉;杭升;郑权 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学;东旭集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/14;H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司： | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人： | 赵凤英 |
| 地址： | 300130 天津市红桥区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明为一种抑制SRH非辐射复合的MicroLED器件及制备方法。该器件的外延结构沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、第一N‑型半导体材料层和第二N‑型半导体材料层；第二N‑型半导体材料层上依次覆盖有多量子阱层、P‑型电流阻挡层、P‑型半导体材料传输层；每个P‑型半导体材料传输层的中心覆盖有P‑型重掺杂半导体材料传输层；P‑型半导体材料传输层上的非P‑型重掺杂半导体材料传输层区域，覆盖有绝缘限制层，绝缘限制层和半导体材料传输层的上表面，为电流扩展层。本发明可实现更好的电流限制作用，降低MicroLED器件侧壁缺陷引起的SRH非辐射复合，提高器件的空穴注入效率和外量子效率(EQE)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 srh 辐射 复合 micro led 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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