[发明专利]真空沟道晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202110864029.4 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN113594004B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 母志强;刘强;俞文杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J9/18;H01J29/46;H01J29/48;H01J31/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海泰博知识产权代理有限公司 31451 | 代理人： | 钱文斌 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种真空沟道晶体管的制备方法，所述制备方法至少包括：在第一硅衬底上沉积氧化物层；对所述氧化物层进行图形化以形成图形化区域，所述图形化区域包括具有开口的空腔和自所述空腔底部贯穿所述氧化物层的沟槽；在所述沟槽内定位生长纳米线，所述纳米线自所述第一硅衬底朝所述空腔延伸并凸入于所述空腔；在所述空腔的与所述第一硅衬底相对的一侧使所述氧化物层与第二硅衬底键合以形成内含所述空腔的SOI衬底。本发明也提供了一种真空沟道晶体管，其包括穿过所述氧化物层的顶部而进入所述真空空腔的纳米线。所述制备方法可以与现有集成电路的制造工艺完全兼容，经由所述制备方法可获得源极与漏极之间距离精确可调的真空沟道晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 沟道 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所，未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110864029.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
