[发明专利]背面散热的VCSEL芯片及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202110867426.7 | 申请日： | 2021-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN113314945B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 王光辉;王青;江蔼庭;吕朝晨;赵风春;钱旭 | 申请（专利权）人： | 华芯半导体研究院（北京）有限公司;华芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024;H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵丽婷 |
| 地址： | 100020 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了背面散热的VCSEL芯片及其制备方法和应用。该VCSEL芯片包括衬底和在所述衬底上逐层生长的N接触层、NDBR层、有源层、氧化层、PDBR层和P接触层，所述P接触层上形成有金属电极，其中，所述衬底上形成有散热孔，所述散热孔为开孔，所述散热孔的表面形成有金属层。该背面散热的VCSEL芯片不仅结构简单，而且散热效率高，可有效减缓热反转现象，提升VCSEL的外量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 散热 vcsel 芯片 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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