[发明专利]一种逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 202110868565.1 | 申请日： | 2021-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN113594247A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 孙瑞泽;罗攀;王方洲;刘超;陈万军 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体功率器件技术领域，涉及一种逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管。本发明包括从下至上设置的：衬底、成核层、缓冲层、势垒层，介质层，缓冲层和势垒层形成异质结结构，在材料极化效应下形成二维电子气沟道，势垒层上设有至少两个pGaN结构，其中第一pGaN结构为栅pGaN结构，上表面与栅极金属相连，其余pGaN依次间隔的设置在势垒层上，被介质层隔离开来。势垒层一端设置有源极金属，形成欧姆接触，另一端设置有漏极金属，形成欧姆接触，漏极金属与除第一pGaN结构的其余pGaN结构相连。正向导通时，与漏极金属相连的pGaN间隔下的二维电子气导电，器件开启电压小；反向阻断时，间隔处的二维电子气在反向偏置下迅速耗尽，形成耗尽区，提高器件阻断能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆阻型 氮化 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院，未经电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110868565.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
