[发明专利]一种磷化铟单晶的生长装置及生长方法有效
| 申请号： | 202110870551.3 | 申请日： | 2021-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN113774489B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 庞昊;谢雨凌 | 申请（专利权）人： | 合肥天曜新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B13/14;C30B13/28;C30B13/32 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 吴桑 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市经开*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶体生长技术领域，特别涉及一种磷化铟单晶的生长装置，包括固定加热器、移动加热器、晶体生长容器和电磁搅拌装置，所述移动加热器和电磁搅拌装置可在晶体生长容器外移动。本发明还提供一种磷化铟单晶的生长方法，通过将原料放入到晶体生长容器中并加热到750℃，然后通过移动加热器加热到1075℃，移动移动加热器和电磁搅拌装置至其铅垂面离开晶体生长容器，保温并待炉温降至室温。本发明降低了Si污染，制得的单晶纯度高；采用移动加热器的方法，避免移动晶体生长容器可能引起的振动，能有效提高单晶率；通过双加热器的相对移动实现温场的移动，温场控制相对简单，控温精度容错率高，便于维护和校准。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磷化 铟单晶 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
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