[发明专利]一种SiC单晶片抛光方法有效
| 申请号： | 202110870849.4 | 申请日： | 2021-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN113524025B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 苏建修;王占奎;张亚奇;胡楠;李海波;李勇峰;薛明普;陈锡渠 | 申请（专利权）人： | 河南科技学院 |
| 主分类号： | B24B37/24 | 分类号： | B24B37/24;B24B37/10;B24B37/34 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 孙玲 |
| 地址： | 453000 河南省新*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： |
本发明公开一种SiC单晶片抛光方法，采用含有还原剂、氧化剂、催化剂等化学物质的抛光垫，在抛光压力的作用下，SiC单晶片与抛光垫表面的凸峰相接触，产生摩擦及摩擦热，还原剂释放出氧气，在催化剂及摩擦热等的作用下，氧气与SiC单晶片表面发生氧化反应，在表面生成一层SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 sic 晶片 抛光 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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