[发明专利]一种任意主动相位调控电磁超表面及其制备方法在审
申请号: | 202110872148.4 | 申请日: | 2021-07-30 |
公开(公告)号: | CN115693163A | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 陆亚林;何泓川;黄秋萍;程浩;汪扬凯;林晓霞 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | H01Q15/00 | 分类号: | H01Q15/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杨威 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提供了一种任意主动相位调控电磁超表面,包括:衬底;依次位于衬底上的主动相位调控层和被动相位调控层;主动相位调控层的微结构单元为由主动调控材料构成的圆开口谐振环结构;被动相位调控层的微结构单元为由良导体材料构成的、与主动相位调控层的微结构单元同圆心的圆开口谐振环结构;被动相位调控层的谐振环外径不同于主动相位调控层的谐振环外径,被动相位调控层的谐振环内径不同于主动相位调控层的谐振环内径,且被动相位调控层的谐振环开口区域与主动相位调控层的谐振环开口区域没有重合部分。本发明提供的任意主动相位调控超表面,通过被动相位调控层及主动相位调控层开口谐振环的几何转角的控制,可实现任意需求的附加相位。 | ||
搜索关键词: | 一种 任意 主动 相位 调控 电磁 表面 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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