[发明专利]一种高靶材利用率圆形平面磁控溅射阴极有效
| 申请号： | 202110872823.3 | 申请日： | 2021-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN113584449B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 汪建;杜寅昌;李成;程厚义;赵巍胜;张悦 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学合肥创新研究院（北京航空航天大学合肥研究生院） |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人： | 苗娟 |
| 地址： | 230013 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明的一种高靶材利用率圆形平面磁控溅射阴极，包括靶材、磁体、磁轭及靶座，还包括运动机构；靶材安装在靶座上方，磁体安装在磁轭上，位于靶座下方，磁体与阴极中轴偏心安装，即磁体中心与阴极中轴不重合；运动机构设置在磁轭的下方，磁轭连接到运动机构上，运动机构牵引磁轭从而带动磁体绕阴极中轴螺旋式周期旋转运动，旋转半径逐渐增大。本发明的磁体及磁轭通过运动机构实现螺旋式周期运动，靶材表面磁场同步螺旋式周期运动，靶材被均匀刻蚀，利用率大幅提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高靶材 利用率 圆形 平面 磁控溅射 阴极 | ||
【主权项】：
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