[发明专利]一种监控钨CMP工艺出现的晶边钨残留的方法在审
| 申请号： | 202110877913.1 | 申请日： | 2021-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN113611625A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 陶仁峰;李协吉;李儒兴 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种监控钨CMP工艺出现的晶圆边缘钨残留的方法，包括以下步骤：提供检测晶圆，在检测晶圆的表面形成氧化物膜层，氧化物膜层覆盖中心区域和边缘区域的表面；对氧化物膜层执行钨CMP工艺，并测试晶圆边缘区域处对氧化物膜层的研磨速率；以及根据检测晶圆边缘氧化层研磨速率来监控钨CMP机台的状态，据此判断产品晶圆是否会在边缘区域存在大量的钨残留。本发明通过上述步骤可以通过在线监控氧化物膜层的研磨速率来替代在线监控钨膜层的研磨速率来监控钨CMP工艺出现的晶边钨残留状况，实现提前预防由于钨残留导致钝化层蚀刻制程出现金属线容易被电流击穿并焦化的问题以及电性测试时出现的“烧针”现象造成的晶圆报废和测试设备的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 监控 cmp 工艺 出现 晶边钨 残留 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
