[发明专利]一种倒装结构深紫外LED芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110878292.9 | 申请日： | 2021-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN113410346B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 王雪;崔志勇 | 申请（专利权）人： | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 申龙华 |
| 地址： | 047500 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种倒装结构深紫外LED芯片及其制备方法，LED芯片包括LED外延片以及p电极(101)和n电极(102)，LED外延片包括依次叠加的n型半导体层(204)、发光层(205)、电子阻挡层(206)和p型半导体层(207)，p型半导体层(207)具有不在同一水平面上的p第一结构表面(311)、p第二结构表面(312)和p第三结构表面(313)，p第一结构表面(311)、p第二结构表面(312)和p第三结构表面(313)上均设置有由n型半导体材料制成的隧穿结(601)。其通过优化p型半导体层结构，能减少p型高铝组分氮化物对紫外光的吸收，提升亮度；通过加入隧穿结，能降低工作电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 结构 深紫 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山西中科潞安紫外光电科技有限公司，未经山西中科潞安紫外光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110878292.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种复合AlN模板及其制备方法
- 下一篇：一种低压台区故障精准定位系统及方法
