[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110878851.6 | 申请日： | 2021-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN115117164A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 花形祥子 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 房永峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式涉及半导体装置，多个IGBT区域和多个二极管区域沿第一方向交替设定，并具有第一～第三电极和半导体部分。所述半导体部分具有第一导电型的集电极层、第二导电型的低浓度和高浓度的阴极层、第二导电型的漂移层、第一导电型的阳极层及基极层、以及第二导电型的发射极层。所述低浓度阴极层和所述高浓度阴极层与所述第一电极相接。当将所述半导体部分的下表面中的所述二极管区域沿着所述第一方向三等分为第一周边区域、中央区域以及第二周边区域时，所述中央区域中的所述低浓度阴极层的面积率比所述第一周边区域以及所述第二周边区域中的所述低浓度阴极层的面积率高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，未经株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110878851.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：充电电路、充电芯片及电子设备
- 下一篇：隔离器
- 同类专利
- 专利分类
