[发明专利]半导体的制造方法在审
| 申请号： | 202110880371.3 | 申请日： | 2021-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN114695405A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 邱威超;刘永进;陈裕文;张浚威;郭景森;许峰嘉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本文描述一种半导体的制造方法。制造方法中提到的植入遮罩形成技术包括通过非微影术技术提高植入遮罩中图案的初始深宽比，其可包括在植入遮罩上形成抗硬化层。可通过光学微影术技术将图案形成为初始深宽比，初始深宽比降低或最小化在图案形成期间图案塌陷的可能性。接着，在植入遮罩上形成抗硬化层以提高图案的高度且减小图案的宽度，这提高了图案的开口或沟槽的高度与开口或沟槽的宽度之间的深宽比。这样，植入遮罩中的图案可以降低或最小化图案形成期间图案塌陷的可能性的方式形成为超高深宽比。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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