[发明专利]固相掺杂方法、装置、重掺砷硅单晶生产系统及生产方法有效

专利信息
申请号: 202110881172.4 申请日: 2021-08-02
公开(公告)号: CN113584574B 公开(公告)日: 2022-12-02
发明(设计)人: 周文辉;王忠保;石鑫 申请(专利权)人: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
主分类号: C30B15/04 分类号: C30B15/04;C30B29/06
代理公司: 宁夏三源鑫知识产权代理事务所(普通合伙) 64105 代理人: 孙彦虎
地址: 750000 宁夏回族自*** 国省代码: 宁夏;64
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摘要: 发明提供一种固相掺杂方法、装置、重掺砷硅单晶生产系统及生产方法,属于重掺杂硅单晶技术领域。该固相掺杂方法将未经气化的固体掺杂剂或含固体掺杂剂的掺杂料投入化料后的硅熔液中。该固相掺杂装置包括石英杯及石英浮杆,石英杯的上端开口,且设置有用于挂接于单晶炉上的挂钩,石英杯的下端设置有锥形的导料部,导料部的下端连接有下料管。石英浮杆沿下料管的轴向穿过下料管,石英浮杆的上端设置有浮阀,浮阀能够盖合于下料管的上端,石英浮杆的下端设置有浮子。实践表明,采用本发明提供的固相掺杂方法能够提升低电阻率产品的比率,降低晶变的概率,砷掺杂剂的用量相比气相掺杂过程降低约28.4%。固相掺杂装置结构简单,操作方便。
搜索关键词: 掺杂 方法 装置 重掺砷硅单晶 生产 系统
【主权项】:
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