[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202110881714.8 | 申请日： | 2021-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN115701654A | 公开（公告）日： | 2023-02-10 |
| 发明（设计）人： | 钱大憨;张杰;黄娟娟;白杰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：掺杂导电层，所述掺杂导电层内掺杂有掺杂离子；金属导电层，位于所述掺杂导电层上；含氮介质层，位于所述金属导电层上；第一氮钼化物层，位于所述掺杂导电层和所述金属导电层之间，用于电连接所述掺杂导电层和所述金属导电层；第二氮钼化物层，位于所述金属导电层和所述含氮介质层之间，所述第二氮钼化物层中氮原子的原子数占比大于所述第一氮钼化物层中氮原子的原子数占比。本发明实施例有利于提升金属导电层的导电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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