[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本公开提出一种半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括提供具有存储器区域及逻辑区域的半导体结构；位于存储器区域与逻辑区域两者中的第一金属层及第一金属层上方的介电阻挡层；介电阻挡层上方的第一介电层；第一金属层、介电阻挡层与第一介电层上方的多个磁穿隧接面(MTJ)装置；以及第一介电层与多个MTJ装置上方的第二介电层。第一介电层、多个MTJ装置及第二介电层位于存储器区域中，且并未位于逻辑区域中。上述制造方法还包括使用流动式化学气相沉积，于存储器区域与逻辑区域上方沉积极低k值介电层；以及抛光极低k值介电层，以平坦化极低k值介电层的顶部表面。