[发明专利]一种适用于集成电路电磁场辐射抗扰试验的系统装置在审
申请号: | 202110890675.8 | 申请日: | 2021-08-04 |
公开(公告)号: | CN113419115A | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 郑益民;崔强;方旭;苏江涛;柳丽芳;陈俊;王逸晨 | 申请(专利权)人: | 浙江诺益科技有限公司 |
主分类号: | G01R29/08 | 分类号: | G01R29/08;G01R31/28 |
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地址: | 310000 浙江省杭州市滨江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种适用于集成电路电磁场辐射抗扰试验的系统装置,包括信号终端、射频信号器、信号传输器、功率放大器、待测IC控制模块、特制测试电路装置和直流检测电源,所述信号终端通过远程控制线路与射频信号器双向连接,所述射频信号器与功率放大器通过射频调节组件双向连接。该适用于集成电路电磁场辐射抗扰试验的系统装置是专用与集成电路半导体模块的电磁场辐射抗扰度测试系统,所占用的试验空间相比于大型屏蔽暗室较小,建设成本较低,并且本试验装置除模拟产生常规的电磁场干扰信号,可根据试验要求产生强度极高的电磁场以模拟集成电路在极端恶劣电磁场环境中工作的工况,能全面的测试集成电路的抗电磁场干扰的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 适用于 集成电路 电磁场 辐射 试验 系统 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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