[发明专利]基于忆阻元件和蕴含逻辑的自纠错存储单元在审
申请号: | 202110890712.5 | 申请日: | 2021-08-04 |
公开(公告)号: | CN113643747A | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
发明(设计)人: | 王子欧;巫超 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | G11C29/44 | 分类号: | G11C29/44;G11C13/00 |
代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人: | 陆金星 |
地址: | 215137 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于忆阻元件和蕴含逻辑的自纠错存储单元,包括一选通管;用于存储写入时的数据的第一忆阻器;用于辅助判断第一忆阻器是否写入正确的第二忆阻器;一定值电阻;所述选通管的源极经定值电阻电性连接到DL端,所述选通管的栅极电性连接到WL端,所述选通管的漏极分别电性连接到第一忆阻器的负极和第二忆阻器的负极,所述第一忆阻器的正极电性连接到BL端,所述第二忆阻器的正极电性连接到CL端。本发明能够有效降低实现蕴含操作的难度,提高该存储单元的实际可行性,以及能够完全避免在写入过程中阵列中其他单元的误操作。 | ||
搜索关键词: | 基于 元件 蕴含 逻辑 纠错 存储 单元 | ||
【主权项】:
暂无信息
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