[发明专利]一种衬底加工方法及半导体器件制造方法在审
申请号: | 202110890808.1 | 申请日: | 2021-08-04 |
公开(公告)号: | CN115246091A | 公开(公告)日: | 2022-10-28 |
发明(设计)人: | 李瑞评;曾柏翔;刘增伟;张佳浩;陈铭欣 | 申请(专利权)人: | 福建晶安光电有限公司 |
主分类号: | B24B19/22 | 分类号: | B24B19/22;B28D5/04;C30B33/02;H01L21/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 362411 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供一种衬底加工方法以及半导体器件制造方法,衬底加工过程中,自晶棒切割得到多个衬底之后,对衬底的表面进行处理,可以是衬底的单面或者双面,然后对衬底进行退火。在退火过程中,在催化剂的作用下,表面处理剂中的有机可溶钙盐与衬底发生反应,形成一层较软材料的改性层,该改性层为疏松结构,起到软化衬底的作用,降低了衬底表面的硬度。表面处理剂中的有机可溶钙盐易溶于水,可配制成均匀溶液喷洒在衬底表面,使衬底表面涂敷得更均匀,提高衬底软化深度的均匀性。在后续的研磨及抛光过程中,能够显著提高研磨和抛光效率,降低衬底的加工难度。通过调整退火工序的温度及时间,控制表面处理剂与衬底的反应程度,控制被软化的衬底的厚度,进而降低后续机械加工的难度,提高衬底的加工质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 衬底 加工 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】:
暂无信息
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