[发明专利]一种基于铌酸锂薄膜的大模斑水平端面耦合器有效
| 申请号： | 202110890825.5 | 申请日： | 2021-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN113777711B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 夏金松;胡畅然;曾成;瞿智成 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G02B6/26 | 分类号： | G02B6/26;G02B6/14 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 刘洋洋 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于铌酸锂薄膜的大模斑水平端面耦合器，属于集成光器件技术领域。本发明所述耦合器包括双层倒锥和包层波导；所述双层倒锥包括上层倒锥和下层倒锥；所述下层倒锥材料为二氧化硅和铌酸锂，所述上层倒锥材料为铌酸锂；所述包层波导覆盖于所述双层倒锥上，所述包层波导的材料为氮氧化硅，包层波导的截面呈现出圆顶凸字形。所述下层倒锥延伸至耦合器芯片端面；所述上层倒锥截止于所述下层倒锥的铌酸锂层之上。本发明基于铌酸锂薄膜的大模斑水平端面耦合器在不增加额外光刻步骤的情况下，增大耦合器模斑尺寸，提升耦合器耦合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 铌酸锂 薄膜 大模斑 水平 端面 耦合器 | ||
【主权项】：
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